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编辑-ZMSB30M在MSBL封装里采用的4个芯片,是一款小电流贴片整流桥。MSB30M的浪涌电流Ifsm为80A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MSB30M采用GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。MSB30M的电性参数是:正向电流(Io)为3A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,其中有4条引线。MSB30M参数描述型号:MSB30M封装:MSBL特性:小电流、贴片整流桥电性参数:3A1000V芯片
编辑-Z在ASEMI整流桥产品中,KBU808是一款颇受客户喜爱的整流桥。究竟是什么原因让其貌不扬的它能够让这么多客户朋友信赖和选择?看完这篇文章,相信你会明白的。KBU808是一款低调而有内涵的整流桥,别看ASEMI的KBU808其貌不扬,其4颗芯片为GPP波峰大芯片,芯片均为95ML。因此,该整流桥具有较高的电性参数稳定性和较好的产品离散性。KBU808参数描述型号:KBU808封装:KBU-4/DIP-4特性:整流、扁桥电性参数:8A800V芯片材质&
编辑-ZMBR10100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片,是一款肖特基二极管。MBR10100FCT的浪涌电流Ifsm为150A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100FCT采用SI芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR10100FCT的电性参数是:正向电流(Io)为10A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.8V,其中有3条引线。MBR10100FCT参数描述型号:MBR10100FCT封装:TO-220特性:肖
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